11 月 18 日，大连理工大学梁红伟教授提交的《关于加入 RD50 国际合作组》报告，经欧洲核子中心 RD50 国际合作组管理委员会审议，全体成员现场表决通过，大连理工大学成为该国际合作组的正式成员。
这是继中国科学院高能物理研究所，中国科学技术大学，吉林大学之后，第四个加入该合作组的国内机构此外，该校微电子学院夏晓川副教授代表课题组进行本次大会首个学术报告
大连理工大学消息显示，未来该校工作组将在耐高温抗辐照宽禁带半导体辐射探测器与集成系统，极端条件下高能物理实验等前沿领域与共同体内各成员单位开展紧密国际合作，共享信息和资源库。2020年4月21日，国务院批复中韩国际合作示范区总体规划，明确了中韩国际合作示范区的功能定位，即“振兴发展吉林省乃至东北地区的新引擎，东北亚区域经济合作的先行区，中韩全方位宽领域合作的先行区”。。
此次成功加入 RD50 国际合作组，得益于大连理工大学微电子学院宽禁带半导体器件集成与系统研究团队在宽禁带半导体材料，器件与集成系统等方面业已取得的突出成果，研发出基于宽禁带半导体的多型号耐高温，抗辐照探测器，其中创新提出基于碳化硅单晶制备 PIN 结型辐射探测器，利用高质量单晶灵敏区的厚度优势，增大高能辐射源在灵敏区内能量沉积，解决探测灵敏区内非平衡载流子产生率低的难题，提高探测器的灵敏度，创新研制出具有位置灵敏特性的氮化镓带电粒子探测系统，提出利用等电子陷阱方法显著降低异质外延氮化镓辐射探测灵敏区背景电子浓度，开辟了高质量氮化镓异质外延厚膜生长新方法，解决了传统器件对辐射源能量沉积低，泄漏电流噪声大的瓶颈问题，实现了单像素能量分辨率目前国际最优值，在本领域专业高水平期刊上进行了报道，引发国内外知名科研团队相继关注并开展深入交流。
研究团队制备的碳化硅耐辐照探测系统已经应用于国际四大散裂中子源之一的中国散裂中子源白光束线，并建立了宽禁带半导体探测系统实验区，支持了多家单位的关键数据实验，为满足相关重大急需需求提供了有效关键技术支撑。
根据消息显示，RD50 国际合作组是欧洲核子中心发起的专注于研发抗辐照半导体探测器的大型学术共同体，该共同体内各成员单位彼此共享信息和资源成员单位包括亚洲，欧洲，美洲的 60 多个在该领域引领前沿的研究机构
中国已有成员单位包括中国科学院高能物理研究所，中国科学技术大学，吉林大学此外还包括欧洲的牛津大学，哥廷根大学，苏黎世联邦工业大学，莫斯科大学，美国的费米国家实验室，布鲁克海文国家实验室，劳伦斯伯克利国家实验室等
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