日前，模拟晶圆代工龙头企业X—FAB Silicon Foundries和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。
X—FAB总部位于欧洲，是全球第一家提供150mm SiC工艺的代工企业X—FAB符合汽车品质的生产环境可以帮助客户生产制造出高品质，高性能，并且能快速上市的器件
作为X—FAB亚洲区重要的合作伙伴，根据消息显示，过去三年派恩杰累计出货1千万，未来三年预计将超过8千万。
从派恩杰官网了解到，派恩杰是成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商创始人黄兴博士师从IGBT之父Bbull，贾扬bull，巴利加，在Cree / RFMD / UnitedSiC等有长达十年的SiCamp，GaN功率器件设计经验由此可见，派恩杰SiCamp，GaN功率器件自带美国半导体技术基因，具有先天技术优势，技术实力可见一斑，派恩杰的产品发展史也佐证了这一点
2019年3月，派恩杰成立仅6个月即发布了第一款可兼容驱动650V GaN功率器件同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS，填补了国内空白2020年先后发布用于5G数据中心，服务器与工业辅助电源的650V，1700V工业级MOS以及用于车载充电机的650V车规级MOS2021年2月发布1200V大电流车规级MOS，应用于电动汽车电驱单管及模块
截至目前，派恩杰已经发布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD，SiC MOS，GaN HEMT功率器件产品。
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