您的位置:首页 > 互联

消息称长江存储将直接挑战232层NAND,并于2022年底量产

发布时间:2022年06月14日 15:18 来源:C114通信网 编辑:杜玉梅  阅读量:4551  
导读:3D200层栈的游戏正在加速内存厂商美光此前提出,业界首款232层堆栈3DNAND闪存将于2022年底前率先量产 据DigiTimes报道,最近几天,市场传言称,长江存储将跳过原有的192层技术,直接挑战232层NAND,并于2022年底...

3D 200层栈的游戏正在加速内存厂商美光此前提出,业界首款232层堆栈3D NAND闪存将于2022年底前率先量产

据DigiTimes报道,最近几天,市场传言称,长江存储将跳过原有的192层技术,直接挑战232层NAND,并于2022年底量产。

据报道,内存相关产业指出,由此,长江存储有望赶超三星电子,侠义等其他NAND厂商,并将在2023年逐步扩大232层NAND产能比例,为全球NAND产业竞争投下一枚重磅炸弹。

本站了解到,长江存储已经推出了128层3D NAND闪存,此前有报道称,长江存储已经向一些客户交付了其自主开发的192层3D NAND闪存的样品。

此外,市场观察人士认为,三星电子有望在2022年末加入200层以上3D NAND闪存的竞争。

郑重声明:此文内容为本网站转载企业宣传资讯,目的在于传播更多信息,与本站立场无关。仅供读者参考,并请自行核实相关内容。